Wafer Diagnostic Metrology
『您負責勇往直前，WaferMasters替你抓住製程關鍵。』
為因應摩爾定律以及現代高性能微電子產品輕薄短小的需求，各家大廠紛紛研發新的晶圓技術，無論是從根本上改變晶片的設計、或是尋找矽晶圓的替代品、抑或是從現有運算方式或是電晶體尋找出路等等，而在高階製程中無法忽略的是在熱處理或是TSV加工下，因為應力不均導致晶圓破裂等情形，因此WaferMasters非破壞性的物理監控是最佳的解決方案。
※ 何謂TSV？ ※
TSV技術讓連接線也可在晶片中間，並不侷限於晶片周圍，使得內部連接路徑更短，相對使晶片間的傳輸速度更快、雜訊小、效能更佳，
同時可達到高密度構裝，並可應用於異質晶片堆疊，如類比及數位、矽基及三五族、記憶體與射頻等。
TSV的立體互連技術比打線接合具有更短的互連路徑、更低的電阻與電感，以及更有效率地傳遞訊號與電力，
還擁有不限制裸晶堆疊數量等優勢，CMOS Sensor、記憶體已在採用TSV 技術，未來基頻、射頻、處理器等應用趨勢愈來愈明顯。
由於目前業界缺乏診斷潛藏在製程中造成晶圓損傷、缺陷和電導率損害的工具，WaferMasters開發了多波長拉曼光譜儀（MRS-300），以及光學表面輪廓分析儀（OSP-300）和多波長光致發光檢測儀（MPL-300），實現非破壞性的高精度、高穩定性、高性能之物理監控。
由於目前業界缺乏診斷潛藏在製程中造成晶圓損傷、缺陷和電導率損害的工具，WaferMasters開發了多波長拉曼光譜儀（MRS-300），以及光學表面輪廓分析儀（OSP-300）和多波長光致發光檢測儀（MPL-300），實現非破壞性的高精度、高穩定性、高性能之物理監控。
OSP-300
光學表面輪廓分析儀是一種高精度的直接測量技術，用於繪製晶圓表面，能夠顯示由於全局和局部失真導致的局部最大值，最小值和形狀變化以及製程順序。 這些數據讓您能夠檢測製程步驟中的應力變化，圖案覆蓋和晶圓破損問題。
1350mm（寬）x 2538.5mm（深）x 1960mm（高）
OSP-300系統設計基於光源和半導體晶圓之間的光學相互作用，作為用於研發和製造的非破壞性晶圓表面輪廓表徵和工藝監測工具。該系統以最低的擁有成本提供了對晶圓特性和工藝效果的新突破。
應用：
無損晶圓表徵和在線過程監控
晶圓平面
晶圓曲率
高度輪廓圖
矢量圖
扭曲直方圖等
構造簡單而穩健的設計
卓越的靈敏度
- 表面平整度
- 局部失真
- 全局翹曲
- 圖案旋轉
- 扭曲和失真
重要的線上監控資訊
- 晶圓平直度
- 晶圓曲率
- 高度輪廓圖
- 矢量圖
- 失真直方圖等
非破壞性光學表徵
無樣品製備
可以對所有晶圓進行採樣
- 橡皮布
- 加工
- 圖案
- 器件晶圓
快速啟動（當天）
最低耗材
最小設備要求：
- 電流：3相220VAC 10kVA
- CDA：0.55 MPa
- 真空：-60kPa
小尺寸
內置兩個FOUP開啟器
Headquarters and R&D Center
2251 Brandini Dr.
Dublin, CA 94568, USA
Applications and Service
WaferMasters Service Factory
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Kikuchi-gun, Kumamoto, 869-1101, Japan
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(美商 WaferMasters, Inc.台灣辦公室)
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