WaferMasters
專業TSV(3D IC矽穿孔)熱處理機
專業TSV(3D IC矽穿孔)熱處理機
『世界唯一的專利高效熱處理技術。』
WaferMasters熱處理機台對於TSV製程中的良率有革命性的提升
WaferMasters熱處理機台是TSV製程的解決方案
WaferMasters熱處理機台是TSV製程的解決方案
※ 何謂TSV？ ※
TSV技術讓連接線也可在晶片中間，並不侷限於晶片周圍，使得內部連接路徑更短，相對使晶片間的傳輸速度更快、雜訊小、效能更佳，
同時可達到高密度構裝，並可應用於異質晶片堆疊，如類比及數位、矽基及三五族、記憶體與射頻等。
TSV的立體互連技術比打線接合具有更短的互連路徑、更低的電阻與電感，以及更有效率地傳遞訊號與電力，
還擁有不限制裸晶堆疊數量等優勢，CMOS Sensor、記憶體已在採用TSV 技術，未來基頻、射頻、處理器等應用趨勢愈來愈明顯。
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SAO-302LP系統基於電阻加熱，堆疊製程模組化設計，可滿足高達450°C的溫度控制&低溫退火應用。
可同時處理五個晶圓，並以最低的擁有成本提供出色的製程可重複性和穩定性，構造簡單且堅固的設計。
應用：
Cu退火
Al燒結
H2退火
SOD退火
低k電介質退火
聚酰亞胺烘烤
SiLK退火
矽化（NiSi）
光阻烘烤和回流
低溫LPCVD
兼容真空和溫度控制
- 低殘留O2（<5ppm）
- H2或合成氣體
工作溫度範圍
- 100~450°C
- H2或合成氣體
優異的工藝均勻性：<1％
優異的工藝可重複性：< 3°C（範圍）
有競爭力的吞吐量
快速安裝：0.5天
兩個真空電纜負載鎖定
最小維護：每6到12個月
無耗材
最小設施要求：
- 電力：3相220VAC 30A
- 製程氣體：最多2線
- 冷卻水
小尺寸
節能：<7KW穩態，最大12 KW
內置兩個FOUP開啟器
可同時處理五個晶圓，並以最低的擁有成本提供出色的製程可重複性和穩定性，構造簡單且堅固的設計。
應用：
Cu退火
Al燒結
H2退火
SOD退火
低k電介質退火
聚酰亞胺烘烤
SiLK退火
矽化（NiSi）
光阻烘烤和回流
低溫LPCVD
兼容真空和溫度控制
- 低殘留O2（<5ppm）
- H2或合成氣體
工作溫度範圍
- 100~450°C
- H2或合成氣體
優異的工藝均勻性：<1％
優異的工藝可重複性：< 3°C（範圍）
有競爭力的吞吐量
快速安裝：0.5天
兩個真空電纜負載鎖定
最小維護：每6到12個月
無耗材
最小設施要求：
- 電力：3相220VAC 30A
- 製程氣體：最多2線
- 冷卻水
小尺寸
節能：<7KW穩態，最大12 KW
內置兩個FOUP開啟器
等溫工藝室設計的主要優點
•簡單和高可靠性設計：無晶圓旋轉，無移動部件
•極其均勻和可重複的過程：等溫腔室保持在製程溫度。
•低功耗：2個腔室在1050度C時<15kW
•低維護：MTBF> 5,000小時，年度PM
•低擁有成本和耗材：佔地面積小，無耗材
•簡單和高可靠性設計：無晶圓旋轉，無移動部件
•極其均勻和可重複的過程：等溫腔室保持在製程溫度。
•低功耗：2個腔室在1050度C時<15kW
•低維護：MTBF> 5,000小時，年度PM
•低擁有成本和耗材：佔地面積小，無耗材
晶圓溫度曲線
吞吐量，功耗和耗材
Headquarters and R&D Center
2251 Brandini Dr.
Dublin, CA 94568, USA
Applications and Service
WaferMasters Service Factory
#103 156-1 Tsukure, Kikiyo-machi,
Kikuchi-gun, Kumamoto, 869-1101, Japan
Taiwan General agent Office and Service
(美商 WaferMasters, Inc.台灣辦公室)
KT High Tech Co., Ltd.
No. 3, Ln. 29, Mayuan St., Pingzhen Dist.,
Taoyuan City 324-61, TAIWAN
Tel : +886-3-419-5654
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