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WaferMasters
專業TSV(​3D IC矽穿孔)熱處理機
『世界唯一的專利高效熱處理技術。』
​
WaferMasters熱處理機台對於TSV製程中的良率有革命性的提升
WaferMasters熱處理機台是TSV製程的解決方案

※ 何謂TSV? ※
TSV技術讓連接線也可在晶片中間,並不侷限於晶片周圍,使得內部連接路徑更短,相對使晶片間的傳輸速度更快、雜訊小、效能更佳,
同時可達到高密度構裝,並可應用於異質晶片堆疊,如類比及數位、矽基及三五族、記憶體與射頻等。

TSV的立體互連技術比打線接合具有更短的互連路徑、更低的電阻與電感,以及更有效率地傳遞訊號與電力,
​還擁有不限制裸晶堆疊數量等優勢,CMOS Sensor、記憶體已在採用TSV 技術,未來基頻、射頻、處理器等應用趨勢愈來愈明顯。
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SAO-302LP系統基於電阻加熱,堆疊製程模組化設計,可滿足高達450°C的溫度控制&低溫退火應用。
可同時處理五個晶圓,並以最低的擁有成本提供出色的製程可重複性和穩定性,
構造簡單且堅固的設計。
​應用:
Cu退火
Al燒結
H2退火
SOD退火
低k電介質退火
聚酰亞胺烘烤
SiLK退火
矽化(NiSi)
光阻烘烤和回流
低溫LPCVD


兼容真空和溫度控制
- 低殘留O2(<5ppm)
- H2或合成氣體
工作溫度範圍
- 100~450°C 
- H2或合成氣體
優異的工藝均勻性:<1%
優異的工藝可重複性:< 3°C(範圍)
有競爭力的吞吐量
快速安裝:0.5天
兩個真空電纜負載鎖定
最小維護:每6到12個月
無耗材
最小設施要求:
- 電力:3相220VAC 30A 
- 製程氣體:最多2線
- 冷卻水
小尺寸
節能:<7KW穩態,最大12 KW
內置兩個FOUP開啟器
等溫工藝室設計的主要優點
•簡單和高可靠性設計:無晶圓旋轉,無移動部件
•極其均勻和可重複的過程:等溫腔室保持在製程溫度。
•低功耗:2個腔室在1050度C時<15kW
•低維護:MTBF> 5,000小時,年度PM
•低擁有成本和耗材:佔地面積小,無耗材
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晶圓溫度曲線
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吞吐量,功耗和耗材
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Headquarters and R&D Center
2251 Brandini Dr.
Dublin, CA 94568, USA

Applications and Service
WaferMasters Service Factory
#103 156-1 Tsukure, Kikiyo-machi,
Kikuchi-gun, Kumamoto, 869-1101, Japan


Taiwan General agent Office and Service
​(
美商 WaferMasters, Inc.台灣辦公室)
KT High Tech Co., Ltd. 
No. 3, Ln. 29, Mayuan St., Pingzhen Dist., 
Taoyuan City  324-61, TAIWAN
Tel  : +886-3-419-5654
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