Wafer Diagnostic Metrology
『您負責勇往直前，WaferMasters替你抓住製程關鍵。』
為因應摩爾定律以及現代高性能微電子產品輕薄短小的需求，各家大廠紛紛研發新的晶圓技術，無論是從根本上改變晶片的設計、或是尋找矽晶圓的替代品、抑或是從現有運算方式或是電晶體尋找出路等等，而在高階製程中無法忽略的是在熱處理或是TSV加工下，因為應力不均導致晶圓破裂等情形，因此WaferMasters非破壞性的物理監控是最佳的解決方案。
※ 何謂TSV？ ※
TSV技術讓連接線也可在晶片中間，並不侷限於晶片周圍，使得內部連接路徑更短，相對使晶片間的傳輸速度更快、雜訊小、效能更佳，
同時可達到高密度構裝，並可應用於異質晶片堆疊，如類比及數位、矽基及三五族、記憶體與射頻等。
TSV的立體互連技術比打線接合具有更短的互連路徑、更低的電阻與電感，以及更有效率地傳遞訊號與電力，
還擁有不限制裸晶堆疊數量等優勢，CMOS Sensor、記憶體已在採用TSV 技術，未來基頻、射頻、處理器等應用趨勢愈來愈明顯。
由於目前業界缺乏診斷潛藏在製程中造成晶圓損傷、缺陷和電導率損害的工具，WaferMasters開發了多波長拉曼光譜儀（MRS-300），以及光學表面輪廓分析儀（OSP-300）和多波長光致發光檢測儀（MPL-300），實現非破壞性的高精度、高穩定性、高性能之物理監控。
由於目前業界缺乏診斷潛藏在製程中造成晶圓損傷、缺陷和電導率損害的工具，WaferMasters開發了多波長拉曼光譜儀（MRS-300），以及光學表面輪廓分析儀（OSP-300）和多波長光致發光檢測儀（MPL-300），實現非破壞性的高精度、高穩定性、高性能之物理監控。
MRS-300
多波長拉曼光譜儀可以對晶圓的晶格應力特性，摻雜、注入物質濃度和其他製程參數進行深度分析，且具有高測量穩定性，目前此技術正獨家應用於先進製程中矽晶圓應力結構檢測，以及於TSV製程中SiGe/Si的SiGe層厚度監測。
多波長拉曼光譜儀可以對晶圓的晶格應力特性，摻雜、注入物質濃度和其他製程參數進行深度分析，且具有高測量穩定性，目前此技術正獨家應用於先進製程中矽晶圓應力結構檢測，以及於TSV製程中SiGe/Si的SiGe層厚度監測。
MRS-300系統設計基於微拉曼測量技術和WaferMasters專有的高分辨率分光儀技術。它允許對半導體製造中使用的各種材料進行多波長微拉曼表徵監測。分光儀是MRS-300系統的核心，沒有移動部件，可確保高測量精度、高重複性和穩定性。通過改變激發波長順序測量拉曼信號，而不在表徵下移動樣品。提供了相同測量位置處的拉曼光譜深度剖析，從而提供關於樣本的高精確資訊。
應用：
非破壞性材料表徵和在線過程監測和診斷
一般
- 晶格應變表徵
- 局部應變測量
- 晶格應變深度分析
- 晶體質量測量
- 材料均勻性測量
Ge含量測量SiGe
超淺結點表徵
矽化物/ Si界面表徵
介電/ Si界面表徵
一般
- 晶格應變表徵
- 局部應變測量
- 晶格應變深度分佈
- 晶體質量測量
- 材料均勻性測量
SiGe含量測量
超淺結表徵
矽化物/ Si界面表徵
介電/ Si界面表徵
構造簡單而穩健的設計
激發光源：多波長Ar +激光
- 457.9 nm
- 488.0 nm
- 514.5 nm -
可根據材料和器件結構選擇其他波長
光譜儀
- 焦距：2米
- 光柵：2400l / mm
- f值：14
- CCD相機數量：3（4級TE冷卻，低雜訊，高靈敏度）
測量性能（裸Si晶片）
- 所有λ的分辨率：0.1cm -1
- 所有λ的應力靈敏度：（31~46MPa）
- 所有λ的精度：0.1cm -1
- 所有λ的重複性：0.1cm -1
-所有λ的穩定性：0.1cm -1
物鏡鏡頭放大倍數
- 2.5倍用於凹口對齊
- 5倍，10倍，20倍，50倍用於測量
光學空間分辨率：
- 4.1μm~1.0μm（取決於物鏡）
測量Bare Si或Patterened Wafers
內置兩個FOUP開啟器
應用：
非破壞性材料表徵和在線過程監測和診斷
一般
- 晶格應變表徵
- 局部應變測量
- 晶格應變深度分析
- 晶體質量測量
- 材料均勻性測量
Ge含量測量SiGe
超淺結點表徵
矽化物/ Si界面表徵
介電/ Si界面表徵
一般
- 晶格應變表徵
- 局部應變測量
- 晶格應變深度分佈
- 晶體質量測量
- 材料均勻性測量
SiGe含量測量
超淺結表徵
矽化物/ Si界面表徵
介電/ Si界面表徵
構造簡單而穩健的設計
激發光源：多波長Ar +激光
- 457.9 nm
- 488.0 nm
- 514.5 nm -
可根據材料和器件結構選擇其他波長
光譜儀
- 焦距：2米
- 光柵：2400l / mm
- f值：14
- CCD相機數量：3（4級TE冷卻，低雜訊，高靈敏度）
測量性能（裸Si晶片）
- 所有λ的分辨率：0.1cm -1
- 所有λ的應力靈敏度：（31~46MPa）
- 所有λ的精度：0.1cm -1
- 所有λ的重複性：0.1cm -1
-所有λ的穩定性：0.1cm -1
物鏡鏡頭放大倍數
- 2.5倍用於凹口對齊
- 5倍，10倍，20倍，50倍用於測量
光學空間分辨率：
- 4.1μm~1.0μm（取決於物鏡）
測量Bare Si或Patterened Wafers
內置兩個FOUP開啟器
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