SRTF-302LP系統基於電阻加熱的單晶片爐技術設計，可滿足傳統的分批爐熱應用以及高達1100°C的RTP應用。
該系統以最低的擁有成本提供出色的工藝可重複性和穩定性，構造簡單和穩健設計。
應用：矽化（TiSi，CoSi，NiSi，WSi等）
植入退火
氧化（乾濕）
玻璃回流
膜緻密化
無氧環境：<30ppm的
兩個真空負載鎖
內置兩個FOUP開啟艙
寬工作Termperaure範圍：200〜1100℃
優良的工藝均勻度：<1％（1sigma）
優良的製程重複性：<3℃
寬窗口
快速斜坡速率：1100°C時高達100°C / s
有競爭力的吞吐量
快速安裝：1天
工藝認證：1天
最低維護：每6至12個月
最低耗材：
- 石英管，熱電偶，加熱器單元
- O-環
最小設施要求
- 電力：3相220VAC 25kVA
- 工藝氣體：最多2線
- 冷卻水
小尺寸
能源效率（1100°C時功耗<10kW）
該系統以最低的擁有成本提供出色的工藝可重複性和穩定性，構造簡單和穩健設計。
應用：矽化（TiSi，CoSi，NiSi，WSi等）
植入退火
氧化（乾濕）
玻璃回流
膜緻密化
無氧環境：<30ppm的
兩個真空負載鎖
內置兩個FOUP開啟艙
寬工作Termperaure範圍：200〜1100℃
優良的工藝均勻度：<1％（1sigma）
優良的製程重複性：<3℃
寬窗口
快速斜坡速率：1100°C時高達100°C / s
有競爭力的吞吐量
快速安裝：1天
工藝認證：1天
最低維護：每6至12個月
最低耗材：
- 石英管，熱電偶，加熱器單元
- O-環
最小設施要求
- 電力：3相220VAC 25kVA
- 工藝氣體：最多2線
- 冷卻水
小尺寸
能源效率（1100°C時功耗<10kW）
等溫腔室設計的主要優點
•簡單和高可靠性設計：無晶圓旋轉，無移動部件
•極其均勻和可重複的過程：等溫腔室保持在製程溫度。
•低功耗：2個腔室在1050度C時<15kW
•低維護：MTBF> 5,000小時，年度PM
•低擁有成本和耗材：佔地面積小，無耗材
•極其均勻和可重複的過程：等溫腔室保持在製程溫度。
•低功耗：2個腔室在1050度C時<15kW
•低維護：MTBF> 5,000小時，年度PM
•低擁有成本和耗材：佔地面積小，無耗材
在SRTF系統中退火的彈性變形
吞吐量、功耗和耗材
Headquarters and R&D Center
2251 Brandini Dr.
Dublin, CA 94568, USA
Applications and Service
WaferMasters Service Factory
#103 156-1 Tsukure, Kikiyo-machi,
Kikuchi-gun, Kumamoto, 869-1101, Japan
Taiwan General agent Office and Service
(美商 WaferMasters, Inc.台灣辦公室)
KT High Tech Co., Ltd.
No. 3, Ln. 29, Mayuan St., Pingzhen Dist.,
Taoyuan City 324-61, TAIWAN
Tel : +886-3-419-5654
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