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SRTF-302LP系統基於電阻加熱的單晶片爐技術設計,可滿足傳統的分批爐熱應用以及高達1100°C的RTP應用。
該系統以最低的擁有成本提供出色的工藝可重複性和穩定性,構造
簡單和穩健設計。
應用:矽化(TiSi,CoSi,NiSi,WSi等)
植入退火
氧化(乾濕)
玻璃回流
膜緻密化

無氧環境:<30ppm的
兩個真空負載鎖
內置兩個FOUP開啟艙
寬工作Termperaure範圍:200〜1100℃ 
優良的工藝均勻度:<1%(1sigma)
優良的製程重複性:<3℃ 
寬窗口
快速斜坡速率:1100°C時高達100°C / s 
有競爭力的吞吐量
快速安裝:1天
工藝認證:1天
最低維護:每6至12個月
最低耗材:
- 石英管,熱電偶,加熱器單元
- O-環
最小設施要求
- 電力:3相220VAC 25kVA 
- 工藝氣體:最多2線
- 冷卻水
小尺寸
能源效率(1100°C時功耗<10kW)
等溫腔室設計的主要優點
•簡單和高可靠性設計:無晶圓旋轉,無移動部件
•極其均勻和可重複的過程:等溫腔室保持在製程溫度。
•低功耗:2個腔室在1050度C時<15kW
•低維護:MTBF> 5,000小時,年度PM
•低擁有成本和耗材:佔地面積小,無耗材
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在SRTF系統中退火的彈性變形
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吞吐量、功耗和耗材
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Headquarters and R&D Center
2251 Brandini Dr.
Dublin, CA 94568, USA

Applications and Service
WaferMasters Service Factory
#103 156-1 Tsukure, Kikiyo-machi,
Kikuchi-gun, Kumamoto, 869-1101, Japan


Taiwan General agent Office and Service
​(
美商 WaferMasters, Inc.台灣辦公室)
KT High Tech Co., Ltd. 
No. 3, Ln. 29, Mayuan St., Pingzhen Dist., 
Taoyuan City  324-61, TAIWAN
Tel  : +886-3-419-5654
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