Wafer Diagnostic Metrology
『您負責勇往直前，WaferMasters替你抓住製程關鍵。』
為因應摩爾定律以及現代高性能微電子產品輕薄短小的需求，各家大廠紛紛研發新的晶圓技術，無論是從根本上改變晶片的設計、或是尋找矽晶圓的替代品、抑或是從現有運算方式或是電晶體尋找出路等等，而在高階製程中無法忽略的是在熱處理或是TSV加工下，因為應力不均導致晶圓破裂等情形，因此WaferMasters非破壞性的物理監控是最佳的解決方案。
※ 何謂TSV？ ※
TSV技術讓連接線也可在晶片中間，並不侷限於晶片周圍，使得內部連接路徑更短，相對使晶片間的傳輸速度更快、雜訊小、效能更佳，
同時可達到高密度構裝，並可應用於異質晶片堆疊，如類比及數位、矽基及三五族、記憶體與射頻等。
TSV的立體互連技術比打線接合具有更短的互連路徑、更低的電阻與電感，以及更有效率地傳遞訊號與電力，
還擁有不限制裸晶堆疊數量等優勢，CMOS Sensor、記憶體已在採用TSV 技術，未來基頻、射頻、處理器等應用趨勢愈來愈明顯。
由於目前業界缺乏診斷潛藏在製程中造成晶圓損傷、缺陷和電導率損害的工具，WaferMasters開發了多波長拉曼光譜儀（MRS-300），以及光學表面輪廓分析儀（OSP-300）和多波長光致發光檢測儀（MPL-300），實現非破壞性的高精度、高穩定性、高性能之物理監控。
由於目前業界缺乏診斷潛藏在製程中造成晶圓損傷、缺陷和電導率損害的工具，WaferMasters開發了多波長拉曼光譜儀（MRS-300），以及光學表面輪廓分析儀（OSP-300）和多波長光致發光檢測儀（MPL-300），實現非破壞性的高精度、高穩定性、高性能之物理監控。
MPL-300
多波長光致發光光譜儀，藉由影響半導體的少數載流子壽命和電子遷移特性等最直接的方法來測量帶隙能量、摻雜劑活化、電活性缺陷、金屬污染。
1350mm（寬）x 2538.5mm（深）x 1960mm（高）
MPL-300系統設計基於微光致發光（PL）測量技術和WaferMasters專有的PL成像技術。它允許基於Si的材料和器件的多波長微PL光譜表徵和晶片級PL成像，例如存儲器件，CMOS影像感應器和太陽能電池。獨家設計的TE冷卻紅外光譜儀和CCD相機沒有可移動部件，能確保高測量精度，可重複性和高穩定性。通過改變激發波長順序測量PL光譜，而不在表徵下移動樣品。
提供了在相同測量位置處的PL光譜/圖像的深度剖析，從而提供樣本的高準確資訊。
應用：
無損晶圓表徵和在線過程監控
能隙
結晶缺陷
Dopant等級
污染程度
中間密度
載體壽命
植入/蝕刻損傷
傷害恢復程度
外延膜質量
鈍化層質量
界面質量
構造簡單穩健的設計
激發光源：
- 405nm
- 473nm
- 532nm
- 650nm
- 785nm
- 827nm
光譜儀和CCD相機
- TE冷卻紅外探測器
- TE冷卻CCD相機（可選）
無損光學表徵
無樣品製備
測量性能
- 波長範圍：900~1400nm
- 波長分辨率：~2nm（或~1nm）
- 測量重複性：~0.2nm
快速啟動（當天）
最低耗材
目標鏡頭放大倍數（用於微型PL測量）
- 2.5倍用於凹口對齊
- 5倍，10倍，20倍，50倍用於測量
小尺寸
內置兩個FOUP開啟器
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Applications and Service
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